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奈米微粒暴露改善技術探討ILOSH111-H601
奈米微粒暴露改善技術探討ILOSH111-H601
出版社勞動部勞研所
出版日期:2023-06-01
語言:中文
ISBN:9786267320280
裝訂:平裝
定價600
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內容簡介
目錄書摘
導讀/序
作者介紹
  奈米微粒逸散研究發現,當模擬危害源位於氣櫃內部中央,可變風量(VAV)氣櫃面速度下降及拉門開度提高時,奈米微粒逸散情形增加,雖然濃度不高,但部分時間可測得較明顯逸散情形。氣簾式(AC)氣櫃拉門開度由全開至低開時,發現在低開時有最多的微粒逸散。若模擬危害源置於氣罩內部左側,VAV氣櫃的面速度較高時及AC氣櫃的下吸速度較高時逸散情形較為明顯。使用VOC當作危害物時,測試結果也相同。電腦模擬所觀測之流場分布及微粒軌跡發現,氣流進入到氣櫃內部時,氣櫃皆會在拉門後方內部形成迴流區。當拉門開度較高時,危害物釋放後會隨氣流排出,並未觀測到逸散情形,但拉門開度降低時,危害物受到迴流影響移動軌跡較為複雜,在氣櫃內部不規則運動而累積,在VAV氣櫃模擬中也沒有發現逸散情形,只有在AC氣櫃且危害源在氣櫃左側模擬時有發現逸散情形。計畫所評估之VAV及AC氣櫃都可有效控制奈米微粒逸散,可供事業單位控制奈米微粒逸散參考。