第三類半導體碳化矽高功率元件技術(第1版)
作者：
楊子明, 李坤彥 總校閱
出版社：五南圖書
出版日期：2026-04-25
語言：中文
ISBN：9786264423106
裝訂：平裝
定價：500 元
本書完整介紹第三類半導體碳化矽(SiC)高功率元件技術,內容涵蓋半導體元件物理、SiC材料特性、功率二極體與功率MOSFET元件結構及其製作流程、關鍵製程技術,以及實務導向的電性量測與參數萃取方法。
全書以SiC工程應用為核心,系統性串聯「元件物理與材料特性→製程技術→元件製作流程→電性量測」,適合SiC功率元件研發工程師、製程與製程整合工程師、電性量測人員以及相關研究領域之研究生,作為兼顧理論基礎與實務應用的專業參考書籍。
全書以SiC工程應用為核心,系統性串聯「元件物理與材料特性→製程技術→元件製作流程→電性量測」,適合SiC功率元件研發工程師、製程與製程整合工程師、電性量測人員以及相關研究領域之研究生,作為兼顧理論基礎與實務應用的專業參考書籍。
